1.場效應管主要有結型場效應管(JFET)和絕緣柵型場效應管(IGFET)。絕緣柵型場效應管的襯底(B)與源析(S)連在一起，它的三個極分別為柵極(G)、漏極(D)和源極(S)。晶體管分NPN和PNP管，它的三個極分別為基極(b)、集電極(c)、發射極(e)。場效應管的G、D、S極與晶體管的b、c、e極有相似的功能。絕緣柵型效應管和結型場效應管的區別在于它們的導電機構和電流控制原理根本不同，結型管是利用耗盡區的寬度變化來改變導電溝道的寬窄以便控制漏極電流，絕緣柵型場效應管則是用半導體表面的電場效應、電感應電荷的多少去改變導電溝道來控制電流。它們性質的差異使結型場效應管往往運用在功放輸入級(前級)，絕緣柵型場效應管則用在功放末級(輸出級)。

2.雙極型晶體管內部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應管是電壓控制器件，柵極(G)基本上不取電流，而晶體管的基極總要取一定的電流，所以在只允許從信號源取極小量電流的情況下，應該選用場效應管。而在允許取一定量電流時，選用晶體管進行放大，可以得到比場效應管高的電壓放大倍數。

3.場效應管是利用多子導電(多子：電子為多數載流子，簡稱多子)，而晶體管是既利用多子，又利用少子(空穴為少數載流子，簡稱少子)，由于少子的濃度易受溫度，輻射等外界條件的影響，因此在環境變化比較劇烈的條件下，采用場效應管比較合適。

4.功率放大電路是一種弱電系統，具有很高的靈敏度，很容易接受外界和內部一些無規則信號的影響，也就是在放大器的輸入端短路時，輸出端仍有一些無規則的電壓或電流變化輸出，利用示波器或揚聲器就可覺察到。這就是功率放大器的噪聲或干擾電壓。噪聲所產生的影響常用噪聲系數Nf表示，單位為分貝(dB)，Nf越小越好，Nf=輸入信號噪聲比/輸出信號噪聲比，晶體管的噪聲來源有三種：⑴熱噪聲：由于載流子不規則的

熱運動，通過半導體管內的體電阻時而產生;⑵散粒噪聲：通常所說的三極管中的電流只是一個平均值，實際上通過發射結注入基區的載流子數目，在各個瞬時都不相同，因而引起發射極電流或集電極電流有一無規則的流動，產生散粒噪聲;⑶顫動噪聲：晶體管產生顫動噪聲的原因現在還不十分清楚，但被設想為載流子在晶體表面的產生和復合所引起，因此與半導體材料本身及工藝水平有關。而場效應管的噪聲只產生于載流子的運動，所以場效應管的Nf比晶體管的要小。

放大器不僅其放大其輸入端的噪聲，而且，放大器本身也存在噪聲，所以其輸出端的信噪比必然小于輸入端信噪比，放大器本身噪聲越大，它的輸出端信噪比就越小于輸入端信噪比，Nf就越大，所以在低噪聲放大器的前級通常選用場效應管，或者低噪聲晶體管。

5.場效應管的漏、源極可以互換、耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正，可負，靈活性比晶體管強。不過在音響功率放大器中，場效應管多以N溝/P溝對管出現，晶體管也以PNP/NPN對管出現。但場效應管在業余應用中較為脆弱，成本也較高。

從以上場效應管和晶體管的對比中不難發現，場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、功耗低、熱穩定性高、抗輻射能力強等優點，因此場效應管的總體性能上要優于晶體管，在許多優秀的功率放大器中，場效應管得到了較為普遍的采用。而采用晶體管的功率放大器取得靚聲者也同樣屢見不鮮。工程師根據兩種管子的特性，取其各自的優點，設計出一種組合管，效果嘛，當然比它們好。