MCU知識分析

1.Brown-OutReset

掉電復位,或電源電壓跌落復位,當輸入電壓VCC跌到某一門限時芯片復位

TheMCUisresetwhenthesupplyvoltageVCCisbelowtheBrown-OutResetthresholdvoltage

andtheBrown-outDetectorisenabled.TheBrown-outthresholdvoltageisprogrammable.

2.Totem-pole

推拉輸出電路

3.IAR調試出現Thestackplug-infailedtosetabreakpointon"main".TheStackwindowwillnotbeabletodisplaystackcontents.(YoucanchangethissettingintheTool>Optionsdialogbox.)的警告,程序能燒進去，但不能調試。

需要進行如下配置:

iar->options->linker->output->format;

選擇Debuginformationforc-SPY選項

4.newlib

newlib是一個用于嵌入式系統的開放源代碼的C語言程序庫，由libc和libm兩個庫組成，特點是輕量級，速度快，可移植到很多CPU結構上。newlib實現了許多復雜的功能，包括字符串支持，浮點運算，內存分配(如malloc)和I/O流函數(printf，fprinf()等等)。其中libc提供了c語言庫的實現，而libm提供了浮點運算支持。

5.Open-drain

open-drain是漏極開路輸出的意思，相當于集電極開路(open-collector)輸出，即ttl中的集電極開路(oc)輸出。

一般用于線或、線與，也有的用于電流驅動。

open-drain是對mos管而言，open-collector是對雙極型管而言，在用法上沒啥區別。

開漏形式的電路有以下幾個特點：

(1).利用外部電路的驅動能力，減少IC內部的驅動。或驅動比芯片電源電壓高的負載.

(2).可以將多個開漏輸出的Pin，連接到一條線上。通過一只上拉電阻，在不增加任何器件的情況下，形成“與邏輯”關系。這也是I2C，SMBus等總線判斷總線占用狀態的原理。如果作為圖騰輸出必須接上拉電阻。接容性負載時，下降延是芯片內的晶體管，是有源驅動，速度較快;上升延是無源的外接電阻，速度慢。如果要求速度高電阻選擇要小，功耗會大。所以負載電阻的選擇要兼顧功耗和速度。

(3).可以利用改變上拉電源的電壓，改變傳輸電平。例如加上上拉電阻就可以提供TTL/CMOS電平輸出等。

(4).開漏Pin不連接外部的上拉電阻，則只能輸出低電平。一般來說，開漏是用來連接不同電平的器件，匹配電平用的。

6.C語言中將絕對地址轉換為函數指針以及跳轉到內存指定位置處執行的技巧

要對絕對地址0x100000賦值，我們可以用

*(unsignedint*)0x100000=1234;

那么要是想讓程序跳轉到絕對地址是0x100000去執行，應該怎么做?

*((void(*)())0x100000)();

首先要將0x100000強制轉換成函數指針,即:

(void(*)())0x100000

然后再調用它:

*((void(*)())0x100000)();

用typedef可以看得更直觀些:

typedefvoid(*)()voidFuncPtr;

*((voidFuncPtr)0x100000)();

又如

如果用C語言，可以像下列示例代碼這樣來調用內核：

void(*theKernel)(intzero,intarch,u32params_addr)

=(void(*)(int,int,u32))KERNEL_RAM_BASE;

……

theKernel(0,ARCH_NUMBER,(u32)kernel_params_start);

KERNEL_RAM_BASE是內核在系統內存中的第一條指令的地址。

7.OnDieTermination

ODT(On-dieTermination，片內終結器)是內建核心的終結電阻器。

使用DDRSDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻，它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率。因此主板上的終結電阻并不能非常好地匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDRII內建了終結電阻器，為DDRII帶來了兩個好處，一個是去掉了主板上的終結電阻器使主板的成本降低，也使PCB板的設計更加容易。第二個好處是終結電阻器可以和內存顆粒的"特性"相符，使DRAM處于最佳狀態。